从两个方面：电流和电压，来探讨整流桥在参数方面的选型所需要注意的问题。

一般情况下我们讲到的电压是指整流桥芯片承受反向冲击电压的能力，与电路工作电压不相同。整流桥的结构其实就是由四个整流二极管芯片构成的桥式电路，二极管芯片反向时受大功率电容放电与电路电压叠加产生的高压冲击，一旦超过整流桥的承受范围，就会引发炸机的情况发生。设计电路时一定需要计算到电路的叠加电压总和，已便于选择反向耐压更高的整流桥产品。例如ASEMI半导体DB107整流桥的反向耐压为100V，则电路中反向冲击电压不能超过1000V。

另外一个需要说的是电流方面，我们这里讲到的电流是指整流桥平均最大输出电流，按照现在电源行业惯用比例1:3的配比，也就是说整流桥电流选型应当大于实际工作电流的三倍。例如设计一款小功率充电器，工作电流为300毫安大小的电路，那么选型整流桥的电流则可以选择ASEMI半导体的DB107整流桥。倘若实际工作电流超过500毫安，那么需要用DB207整流桥。